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Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Transphorm, Inc. a annoncé qu'elle fera la démonstration des résultats de R&D de son dispositif GaN 1200 volts lors du Symposium international sur les dispositifs et les circuits intégrés de ...

Le fabricant de puces électroniques STMicroelectronics lance des transistors de puissance conçus pour économiser l'énergie habituellement perdue dans l'étage d'alimentation des PC, téléviseurs, ...

Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui le lancement du plus petit boîtier sur le marché destiné aux transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN)[2] (X-GaNTM)** à mode d’enrichissement [1] ...

Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...

Spin-off de la société Soitec et du CEA Tech créée en 2014 à Grenoble et Toulouse, Exagan conçoit et développe des transistors à base de nitrure de gallium qui permettent de multiplier par trois la ...

Cette coopération vise à développer et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance avancées en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) La technologie de fabrication ...

Sans eux, la fée électricité perdrait l’essentiel de ses pouvoirs. Les convertisseurs alimentent ordinateurs, luminaires ou télévisions avec exactement ce qu’il faut de tension et de puissance. Ils ...

DE NOTRE CORRESPONDANT À PALO ALTO. Une nouvelle jeunesse pour la loi de Moore ? Cette « loi », émise par Gordon Moore, l'un des fondateurs d'Intel, stipule que, à prix égal, la puissance des ...

Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...